来源：环球网【环球网综合技术报道】10月16日，据KED Global报道，三星电子宣布了一项大规模投资计划，计划投资约1.1万亿韩元安装两台最新的高NA双级极紫外（EUV）曝光设备。此举标志着该公司在下一代半导体芯片量产方面迈出了重要一步。据业内人士透露，三星电子迄今为止仅在京畿道园区安装了一台高NA EUV设备，主要用于研发。我们这次展示的两个工厂专注于产品的大规模生产。这是该公司首次在量产场景中使用如此先进的设备。按照计划，三星电子将于今年完成第一台设备的安装，明年上半年完成第二台设备的安装，并将逐步完善设备的安装。批量生产设备的标志。三星此次计划推出的设备是Twin Scan EXE:5200B，它是TWINCAN EXE:5000的改进版本，是一款高NA极紫外曝光系统，数值孔径（NA）为0.55。在技术性能方面，不仅对位精度进一步提高，而且生产效率也大大提高。被业界公认为生产下一代半导体芯片和高性能DRAM必不可少的核心设备。与以前的 NXE 系统相比，Twin Scan EXE:5200B 具有显着的优势。图像对比度提高了 40%，分辨率达到 8 纳米，芯片制造商可以在单次曝光中实现比 TWINSCAN NXE 系统精细 1.7 倍的电路蚀刻。这项技术突破可以将晶体管的密度提高到原来的2.9倍，同时降低量产工艺的复杂性，效果积极提升客户工厂晶圆产量，坚定支持半导体产业技术升级。 （春俊）
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